Скорость рекомбинации электронов определяется выражением

Обновлено: 05.11.2024

Скорость рекомбинации электронов и дырок конечна, поэтому неравновесные носители смогут продвинуться вглубь полупроводника и глубина их проникновения значительно превысит толщину запорного слоя. При этом электронейтральность кристалла за пределами запорного слоя не нарушается, а концентрации неосновных и основных носителей будут повышены. Их распределение показано на рис. 4.2, а, где границы запорного слоя изображены пунктиром.  [2]

Превышение скорости рекомбинации электронов Rn равно - разности скорости захвата и скорости эмиссии, или генерации, электронов.  [3]

Таким образом, скорость рекомбинации электронов замедляется по двум причинам: вследствие малого эффективного сечения уровней класса II для электронов и уменьшения числа незанятых уровней класса I.  [4]

Абсолютное значение времени деионизации в отсутствие напряжения па электродах зависит только от скорости рекомбинации электронов и ионов.  [5]

Время жизни попа СН, образованного но уравнению ( 10), определено в более ранних исследованиях [19] и ограничено только скоростью рекомбинации электронов .  [6]

Наконец, следует учесть, что так как в каждом акте рекомбинации исчезающий в качестве носителя тока электрон уничтожает точно одну дырку, скорости рекомбинации электронов и дырок л / т и р / ър должны быть всегда равны.  [7]

Наконец, следует учесть, что так как в каждом акте рекомбинации исчезающий в качестве носителя тока электрон уничтожает точно одну дырку, скорости рекомбинации электронов и дырок n / fn и р / тр должны быть всегда равны.  [8]

В полупроводниковом кристалле под действием света образуется равномерно распределенная избыточная концентрация носителей тока Дга ( м - 3); обнаружено, что скорость рекомбинации электронов и дырок пропорциональна An.  [9]

Граничная частота внутреннего фотоэффекта v0 называется красной границей фотопроводимости. Электромагнитные излучения с частотами MVO являются неактивными, так как энергия отдельного фотона этих излучений недостаточна для возбуждения электрона. Возможно, что это связано с быстрым увеличением коэффициента поглощения при v v0, вследствие чего вся падающая на тело электромагнитная энергия поглощается в тонком слое вблизи поверхности тела и увеличение количества носителей тока происходит лишь в тонком поверхностном слое. Такое увеличение количества носителей тока может слабо сказаться на общей электропроводности массивного тела, как потому, что скорость рекомбинации электронов и дырок на поверхности больше, чем в объеме, так и потому, что диффундирующие внутрь примесного полупроводника неосновные носители, создаваемые светом, увеличивают скорость рекомбинации в объеме.  [10]

Инжекция электронов обычно затруднена и требует использования сильных окислителей, имеющих большое сродство к электрону. Иначе говоря, диссоциация экситонов обычно приводит к инжекции дырок. В основном это обусловлено захватом электронов в ловушки на поверхности кристалла, а также высокой скоростью рекомбинации электронов на электроде, что может быть доказано с помощью изучения температурных зависимостей электронных и дырочных токов. Меньшие по сравнению с дырочными значения электронных токов насыщения должны быть вызваны большей, чем у дырок, скоростью рекомбинации электронов с поверхностью. Как видно из рис. 3.1.9, при возбуждении кристаллов антрацена светом с длиной волны 3900 А при положительной полярности освещенного электрода фототок / ( 3900 А) довольно слабо зависит от температуры в отличие от тока / - ( 3900 А), наблюдаемого при отрицательной полярности освещенного электрода.  [12]

Из глубины - области должно подойти пополнение, чтобы компенсировать дефицит электронов, вызванный рекомбинацией. В течение одной секунды в область рекомбинации поступает столько дырок и электронов, сколько рекомбинирует там за то же время. Все сказанное о дырках, поступивших из / - области в - область, справедливо в отношении электронов, перешедших из - области в / - область. Они рекомбинируют с дырками в - области. В итоге устанавливается результирующий ток, являющийся током рекомбинации, поскольку сила тока определяется скоростью рекомбинации электронов и дырок. Рекомбинация протекает сравнительно быстро, так как для этого не требуется энергия; наоборот, энергия может быть даже отдана. Поэтому ток рекомбинации является относительно сильным.  [14]

Изображенный случай относится к сильно легированным ( вырожденным) р - и - областям, так что уровни Ферми в обеих областях находятся в пределах разрешенных зон При равновесии эти уровни для электронов и для дырок совпадают, если к переходу приложено напряжение V в прямом направлении, то положение уровней Ферми на двух контактах различается на величину энергии, соответствующей этому напряжению Если проводимости объема р - и - областей велики, то все напряжение оказывается приложенным непосредственно к переходу. В каждой из двух областей вдали от перехода носители тока находятся в тепловом равновесии, и их распределение можно описать с помощью квазиуровня Ферми Однако в области перехода равновесие отсутствует, и статистика заполнения состояний в этой области должна рассматриваться отдельно для зоны проводимости и валентной зоны. Прежде всего если речь идет о зоне проводимости, то при тепловом равновесии электроны в р - и - областях находятся в равновесии друг с другом и их распределение описывается статистикой Ферми - Дирака. При включении прямого смещения возникает диффузионный поток электронов через переход, который стремится поднять квазиуровень Ферми для электронов в р-области до его уровня в - области. Инжектированные электроны после диффундирования на небольшое расстояние ( диффузионную длину) рекомбинируют с дырками, в результате возникает стационарное состояние, при котором скорость рекомбинации электронов в точности сбалансирована скоростью их инжекции Совершенно аналогичные рассуждения применимы и к распределению дырок в валентной зоне, так что в стационарном состоянии положение квазиуровней Ферми для двух типов носителей в области перехода меняется, как это показано на фиг. Основные носители, конечно, вытягиваются из контакта, чтобы обеспечить условие нейтральности.  [15]

Читайте также: